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                    热销产品
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                    FF200R12KS4英飞凌IGBT模块

                    产品作用和性能:
                    英飞凌FF200R12KS4 是英飞凌公司专门针对高频应用领域而开发发行的62mmC-Series模块,在变频器中的应用实现了系统的高效率和小型化,其开关频率在20~50kHz的应用场合能发挥最大优良特性 。而在典型情况下, IGBT模块的优化,所针对的载波频率却是10kHz或更低。通常,在IGBT/FWD芯片的通态压降和开关损耗之间有一个折衷关系。高速模块在进行性能折衷时,是让通态电压偏大,以换取偏低的开关功耗,从而能在高频应用中实现最低的总功耗。其在医疗应用、电机传动、谐振逆变器应用、伺服驱动器、UPS系统作为高频开关使用。
                    英飞凌IGBT模块FF200R12KS4 
                    英飞凌IGBT模块FF200R12KS4
                    上海菱端电子科技有限公司www.akayamaryu.com常备FF200R12KS4大量现货,价格从优,欢迎联系采购及技术支持。
                     


                    英飞凌FF200R12KS4机械特性 :
                    • 封装的CTI>400 
                    • 高爬电距离和电气间隙 
                    • 绝缘的基板 
                    • 铜基板
                    • 标封装

                    英飞凌FF200R12KS4 基本参数:IGBT模块,1200V/200A DUAL
                     
                    英飞凌FF200R12KS4 外形封装尺寸和结构图
                     
                    英飞凌FF200R12KS4 外形封装尺寸和结构图
                     
                    英飞凌FF200R12KS4 产品参数:
                     
                    产品种类: IGBT 模块
                    产品: IGBT Silicon Modules
                    品牌和型号 英飞凌FF200R12KS4
                    配置: Dual
                    集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
                    集电极—射极饱和电压: 3.2 V
                    在25 C的连续集电极电流: 275 A
                    栅极—射极漏泄电流: 400 nA
                    功率耗散: 1.4 kW
                    最大工作温度: + 125 C
                    封装 / 箱体: 62 mm
                    商标: Infineon Technologies
                    栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
                    最小工作温度: - 40 C
                    安装风格: Screw
                    产品价格和中英文资料 联系我们咨询和索取
                    每盒数量: 10
                     
                    英飞凌FF200R12KS4  等效电路
                    英飞凌FF200R12KS4  等效电路
                     
                    英飞凌FF200R12KS4 IGBT模块受损原因分析
                     
                     IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定:
                      --IGBT栅极与发射极之间的电压;
                      --IGBT集电极与发射极之间的电压;
                      --流过IGBT集电极-发射极的电流;
                      --IGBT的结温。
                      如果IGBT栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT不能稳定正常地工作,如果过高超过栅极-发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏;同样,如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极-发射极之间的耐压,流过IGBT集电极-发射极的电流超过集电极-发射极允许的最大电流,IGBT的结温超过其结温的允许值,IGBT都可能会永久性损坏。
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                         上海菱端电子科技有限公司:
                         联系人:夏小姐
                         服务热线:021-58979561
                         业务咨询qq:447495955
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