由于
IGBT主回路母排有杂散电感存在,当关断
IGBT的时候,集电极-发射极电流会快速下降,电感的特性是电流不能瞬变,会产生感应电动势,形成尖峰电压:
这些尖峰电压的方向与直流母线电压方VDC-link一致,叠加在母线上会导致VCE>VCEmax,就有可能会损害IGBT。
这就需要一定的措施抑制尖峰电压的大小,除了在
IGBT驱动器上采用一定的措施如
有源钳位等进行电压钳位外,还需要在直流母线两端添加吸收电容。这好比添加了一个低通滤波器,会吸收掉尖峰电压。
加装吸收电容时,容量及电容选型也很重要,吸收电容也需要优化:
错误的吸收电容并不能吸收掉尖峰电压
直流母排有杂散电感的话就会产生振荡
没有足够的吸收电容
下图的这些电容并不能像吸收电容那样安全工作:
不同的供应商,有不同的吸收电容
在老化和故障测试中,就能选出最优的吸收电容
选择杂散电感较小的吸收电容
优化之后:
很明显的尖峰电压减小
没有振荡
减小过压的吸收电容电路有以下几种方式:
计算吸收电容:
母排杂散电感和吸收电容杂散电感的影响
iC= 运行电流
diC/dt= 关断