由于IGBT主回路母排有杂散电感存在，当关断IGBT的时候，集电极-发射极电流会快速下降，电感的特性是电流不能瞬变，会产生感应电动势，形成尖峰电压: 这些尖峰电压的方向与直流母线电压方VDC-link一致，叠加在母线上会导致VCE>VCEmax，就有可能会损害IGBT。 这就需要一定的措施抑制尖峰电压的大小，除了在IGBT驱动器上采用一定的措施如有源钳位等进行电压钳位外，还需要在直流母线两端添加吸收电容。这好比添加了一个低通滤波器，会吸收掉尖峰电压。
加装吸收电容时，容量及电容选型也很重要，吸收电容也需要优化：
􀂋错误的吸收电容并不能吸收掉尖峰电压
􀂋直流母排有杂散电感的话就会产生振荡 下图的这些电容并不能像吸收电容那样安全工作: 􀂉不同的供应商，有不同的吸收电容
􀂉在老化和故障测试中，就能选出最优的吸收电容
􀂉选择杂散电感较小的吸收电容 优化之后:
􀂋很明显的尖峰电压减小
􀂋没有振荡 减小过压的吸收电容电路有以下几种方式： 计算吸收电容：
母排杂散电感和吸收电容杂散电感的影响 􀂋iC= 运行电流
􀂋diC/dt= 关断