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                    CREE Sic MOSFET

                    科锐(Cree)发布第二代碳化硅MOSFET,相比硅材料的解决方案,它可以使系统变得更小,效率更高。在相同的功率密度和开关效率的条件下,比科锐(Cree)第一代MOSFET产品每安培成本下降一半。从这个角度说,它可以降低OEM的系统成本,终端用户的能耗和安装运输成本。

                    第二代碳化硅MOSFET具有高开关速度低寄生电容,高阻断电压低导通电阻正温度系数,易于并联,驱动简单等特点,广泛用于光伏,开关电源,高压DCDC变换器,电机驱动等领域;

                    目前,科锐(Cree)发布的碳化硅MOSFET电压等级有1200V,1700V,单管型号的导通电阻分别为25mΩ,40mΩ,80mΩ,160mΩ,280mΩ,1Ω;同时科锐(Cree)还发布的碳化硅MOSFET模块,详细情况请联系我们。

                    1700-V 1200-V SiC MOSFET Packaged 1200-V SiC MOSFET Die
                    Packaged Die
                    C2M1000170D New! CPM2-1200-0025B
                    C2M0080120D CPM2-1200-0080B
                    C2M0160120D New! CPMF-1200-S080B
                    CMF10120D CPMF-1200-S160B
                    CMF20120D  
                    C2M0025120D  
                    C2M0040120D  
                    C2M0280120D  
                    C2M1000170D

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